抛光垫及其制备方法以及使用其的半导体器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种抛光垫及其制备方法，其中，其能够维持在抛光工序中所需的抛光性能，如抛光速度、抛光轮廓，且能够最小化在抛光工序中发生在晶片中的缺陷，即使同时抛光不同材料的膜也能够将其抛光成具有同等水平的平坦度；在CMP工序中适用抛光垫时，无需直接进行抛光测试，即可通过抛光垫的物性值来区分抛光垫，以控制最佳抛光选择率以及抛光工序的性能。
基本信息
专利标题 ：
抛光垫及其制备方法以及使用其的半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114434318A
申请号 ：
CN202111303514.0
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许惠暎徐章源安宰仁尹钟旭
申请人 ：
SKC索密思株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
成都超凡明远知识产权代理有限公司
代理人 ：
洪玉姬
优先权 ：
CN202111303514.0
主分类号 ：
B24B37/20
IPC分类号 ：
B24B37/20 B24B37/24 H01L21/306 B29C44/02 B29C44/34 B29C44/38 B29C69/00 B29C69/02 B29K433/04 B29L7/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/11
研具
B24B37/20
用于加工平面的研磨垫
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 37/20
申请日 : 20211105
申请日 : 20211105
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
