半导体存储器件
公开
摘要
一种半导体存储器件包括衬底、位于衬底上并且分别包括多个第一下电极和多个第二下电极的第一下电极组和第二下电极组以及位于每个第一下电极的侧壁上并且连接每个第一下电极的第一支撑图案和位于每个第二下电极的侧壁上并且连接每个第二下电极的第二支撑图案。第一下电极包括布置在由第一边缘下电极限定的六边形形状内的第一中心下电极。第二下电极包括布置在由第二边缘下电极限定的六边形形状内的第二中心下电极。第一中心下电极在不同的第一方向、第二方向和第三方向上与每个第一边缘下电极间隔开。第一支撑图案紧邻第二支撑图案。第一中心下电极在与第一方向、第二方向和第三方向不同的第四方向上与第二中心下电极间隔开。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628391A
申请号 ：
CN202111262682.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩正勋朴济民
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111262682.X
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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