集成MEMS-CMOS超声波传感器
实质审查的生效
摘要
描述了具有集成MEMS‑CMOS实施方式的超声波感测方法。实施例包括超声波传感器阵列，这些超声波传感器阵列中的各个检测器元件的PMUT结构至少部分地集成到CMOS ASIC晶圆中。MEMS加热元件通过在该CMOS晶圆中的这些PMUT结构之下和/或在这些PMUT结构之上(例如，在保护层中)集成来与这些PMUT结构集成。例如，实施例可以避免晶圆键合，并且可以减少PMUT超声波传感器的常规制作所涉及的其他后加工，同时还改善了热响应。
基本信息
专利标题 ：
集成MEMS-CMOS超声波传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114455538A
申请号 ：
CN202111210016.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
穆斯塔法·索利曼
申请人 ：
深圳市汇顶科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
代理机构 ：
北京龙双利达知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙涛
优先权 ：
CN202111210016.1
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 B81B3/00 B81B7/02 G01D5/48 G06V40/13
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20211018
申请日 : 20211018
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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