半导体芯片及其预烧测试方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体芯片及其预烧测试方法。另本公开执行一种预测试，预测试在预烧测试之前的预测试阶段期间检查插口的每一电接触件与半导体芯片的对应引脚之间的电连接。每一个电接触件与每一个引脚之间的电连接通过多个信号通道来检查。即使在信号通道中的一个失效时，只要信号通道中的另一个通过预测试，就仍可执行预测试和预烧测试。另外，通过多个信号通道的预测试阶段还提供信息，以用于确定半导体芯片的失效是否由预烧板的插口之间的电连接或由半导体芯片自身所导致。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片及其预烧测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520020A
申请号 ：
CN202111205984.3
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖志强
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
宋兴
优先权 ：
CN202111205984.3
主分类号 ：
G11C29/56
IPC分类号 ：
G11C29/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置，例如：用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备；所用接口
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/56
申请日 : 20211014
申请日 : 20211014
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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