集成电路存储器装置和静态随机存取存储器装置
公开
摘要
提供了集成电路存储器装置和静态随机存取存储器装置。集成电路存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)单元和电耦接到所述SRAM单元的电荷存储电路。提供了电耦接到所述电荷存储电路的开关控制器。所述开关控制器和所述电荷存储电路被共同配置为通过以下方式循环与电耦接到所述SRAM单元的位线相关联的电荷来节省功率：(i)一旦SRAM单元写入操作开始，就从所述位线向电耦接到所述SRAM单元内的一对NMOS下拉晶体管的源极端子的电荷存储节点传输电荷，然后(ii)一旦所述SRAM单元写入操作完成，就使至少一部分电荷返回所述位线。
基本信息
专利标题 ：
集成电路存储器装置和静态随机存取存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496023A
申请号 ：
CN202111145879.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔泰敏郑盛旭赵健熙
申请人 ：
三星电子株式会社;延世大学校产学协力团
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111145879.5
主分类号 ：
G11C11/413
IPC分类号 ：
G11C11/413 G11C11/416
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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