半导体装置结构
公开
摘要
本公开实施例提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层，以及第二半导体层对准第一半导体层并位于第一半导体层下。第一互混层与第四互混层围绕每一第一半导体层。第一互混层位于第一半导体层与第四互混层之间，且包括第一材料与第二材料。第四互混层包括第三材料与第四材料。第二互混层与第三互混层围绕每一第二半导体层。第二互混层位于第二半导体层与第三互混层之间，且包括第一材料与第五材料。第三互混层包括第三材料与第六材料。第二材料与第四材料为具有第一极性的偶极材料，第五材料与第六材料为具有第二极性的偶极材料，且第一极性与第二极性相反。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334965A
申请号 ：
CN202110856512.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-07-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄懋霖朱龙琨徐崇威余佳霓江国诚程冠伦王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂慧荃
优先权 ：
CN202110856512.8
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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