本发明的实施方式提供一种能够适当地将包含金属元素的2个膜接近地配置的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：积层膜，交替地包含多个电极层与多个绝缘层；电荷存储层，介隔第1绝缘膜设置在所述积层膜内；半导体层，介隔第2绝缘膜设置在所述电荷存储层内；以及第1部分，在所述电极层与所述绝缘层之间及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，介隔第3绝缘膜设置在所述绝缘膜及所述第1绝缘膜的表面。所述第3绝缘膜包含第1金属元素及第1元素，所述第1部分包含第2元素及第3元素。所述电极层具备：第1电极层，包含第2金属元素，设置在所述第1部分侧；以及第2电极层，包含第3金属元素，设置在所述第1部分的相反侧；所述第2元素与所述第3元素的电负性之差大于所述第1金属元素与所述第1元素的电负性之差。