制造半导体结构的方法
公开
摘要
本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括提供基材，其包含半导体层并具有包含特征图案的主表面，该特征包含第一金属，具有与主表面共面的顶表面，被包含与第一金属不同的第二金属的层包嵌在第一沟槽中，并且至少部分地被填充材料分离，其中，包含第二金属的层和填充材料具有与特征的顶表面共面的顶表面；对所述特征进行选择性地部分地蚀刻，从而形成凹陷特征图案；通过将基材暴露于第一环境，从而使得凹陷特征至少上部受到改性，使得凹陷特征对于蚀刻剂的抗蚀刻性与包含第二金属的层相比提高；用蚀刻剂对包含第二金属的层进行部分蚀刻，从而形成凹陷层，使得该层仍然保留在填充材料与凹陷特征的图案之间；将基材暴露于第二环境，使得凹陷特征的改性至少部分地反转。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582798A
申请号 ：
CN202110671116.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-06-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·菲利普森
申请人 ：
IMEC非营利协会
申请人地址 ：
比利时勒芬
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张佳鑫
优先权 ：
CN202110671116.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/3213
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
