一种芯片封装的焊接方法及芯片封装方法
授权
摘要
本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种芯片封装的焊接方法及芯片封装方法，所述焊接方法包括：使管壳基板升温到第一温度，所述第一温度低于管壳基板上表面放置的焊料片的熔点，所述焊料片放置于管壳基板上的第一框架内；将待焊接件放到焊料片上并使管壳基板的温度升温到第二温度，将待焊接件以预设的第一压力沿第一方向往复移动第一距离并使待焊接件达到预设的第一高度；将管壳基板降温到第三温度，所述待焊接件焊接到管壳基板上，其中，所述第三温度低于焊料片的熔点。有益效果：改进芯片封装过程中的温度控制方法，以及待焊接件和焊料片的焊接方法，减少芯片焊接过程中待焊接件与基板之间的空洞，提高了产品可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片封装的焊接方法及芯片封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113410148A
申请号 ：
CN202110582374.9
公开（公告）日 ：
2021-09-17
申请日 ：
2021-05-26
授权号 ：
CN113410148B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
刘丽娟杨元杰杨天应
申请人 ：
深圳市时代速信科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭浩辉
优先权 ：
CN202110582374.9
主分类号 ：
H01L21/603
IPC分类号 ：
H01L21/603
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603
包括运用压力的，例如热压黏结
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/603
申请日 : 20210526
申请日 : 20210526
2021-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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