一种采用PECVD技术制备无机透明超疏水薄膜的方法
授权
摘要
本发明公开了一种基于PECVD技术制备无机透明超疏水碳化硅薄膜的方法。针对超疏水薄膜须具有表面多级粗糙结构和低表面能特性，以甲烷和硅烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术通过掩膜板多次交叉沉积方式在玻璃板表面构筑具有多级微纳粗糙结构的碳化硅薄膜。基于该粗糙结构，优化PECVD工艺参数使所制备碳化硅薄膜含有大量低表面能‑CHn基团，避开常用有机硅氧烷和有毒氟化物对材料进行低表面能修饰工艺，在不采用任何有机表面修饰剂的条件下便可获得兼具透明性和超疏水特性的碳化硅薄膜。制备的碳化硅透明超疏水薄膜成本低廉，在光伏玻璃板、显示屏幕、挡风玻璃以及建筑幕墙玻璃自清洁和防污等方面具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种采用PECVD技术制备无机透明超疏水薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113373427A
申请号 ：
CN202110500953.4
公开（公告）日 ：
2021-09-10
申请日 ：
2021-05-08
授权号 ：
CN113373427B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
姜礼华侯萍萍韩梦梦何思妙向鹏肖婷杨雄波谭新玉
申请人 ：
三峡大学
申请人地址 ：
湖北省宜昌市西陵区大学路8号
代理机构 ：
宜昌市三峡专利事务所
代理人 ：
成钢
优先权 ：
CN202110500953.4
主分类号 ：
C23C16/32
IPC分类号 ：
C23C16/32 C23C16/505 C23C16/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/32
碳化物
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-09-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/32
申请日 : 20210508
申请日 : 20210508
2021-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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