一种三维存储器沟道孔薄膜厚度的测量方法
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摘要
本申请实施例公开了一种三维存储器沟道孔薄膜厚度的测量方法，所述方法包括：提供测试样品，所述测试样品包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的半导体器件结构和覆盖所述半导体器件结构的覆盖层；所述半导体器件结构包括目标结构和包围结构，所述包围结构沿平行于所述半导体衬底的方向包围所述目标结构；在所述测试样品的覆盖层的侧面形成切割开口，所述切割开口暴露所述半导体器件结构；通过所述切割开口，利用刻蚀液体去除所述半导体器件结构中的包围结构，以暴露所述目标结构；通过所述切割开口，沿平行于所述半导体衬底的方向对所述测试样品进行减薄，得到TEM样品；对所述TEM样品中的所述目标结构进行厚度测量。
基本信息
专利标题 ：
一种三维存储器沟道孔薄膜厚度的测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113097090A
申请号 ：
CN202110342133.7
公开（公告）日 ：
2021-07-09
申请日 ：
2021-03-30
授权号 ：
CN113097090B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
周鹏程艾自红吴正利魏强民
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘恋
优先权 ：
CN202110342133.7
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210330
申请日 : 20210330
2021-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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