测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方...
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摘要
本发明涉及一种测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方法。该方法是对三维拓扑绝缘体Bi2Te3施加一个平面内沿x方向的磁场，用1064nm的激光垂直照射（沿z方向）在样品上两电极连线的中点上，激发产生磁致光电流。通过转动四分之一波片获得不同偏振状态下的光电流，然后通过公式拟合得到圆偏振光激发由拉莫进动引起的磁致光电流。其原理为，圆偏振光激发产生垂直方向的自旋极化Sz，x方向的磁场使得拓扑绝缘体中产生的自旋极化Sz产生拉莫进动，从而产生y方向的自旋极化Sy。这个方向的自旋极化将会引起x方向流动的电荷流，即由拉莫进动引起的圆偏振磁致电流。
基本信息
专利标题 ：
测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112881773A
申请号 ：
CN202110065501.8
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2021-01-18
授权号 ：
CN112881773B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
俞金玲陈神忠程树英赖云锋郑巧
申请人 ：
福州大学
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈明鑫
优先权 ：
CN202110065501.8
主分类号 ：
G01R15/24
IPC分类号 ：
G01R15/24 G01R19/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R15/12
•用于多功能测试器的电路，例如按需要测量电压、电流或阻抗
G01R15/14
为提供电压或电流隔离所做的改进，例如用于高压或大电流网络
G01R15/24
使用光调制装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 15/24
申请日 : 20210118
申请日 : 20210118
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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