类石榴结构硅碳复合材料、制备方法及其应用
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摘要
本发明提供了一种类石榴结构硅碳复合材料，该复合材料包括硅纳米颗粒、片状石墨、碳纳米管以及碳包覆层，所述碳纳米管和所述片状石墨用于构建三维多向性离子迁移通道导电网络结构，所述硅纳米颗粒分散并依附在所述碳纳米管与所述片状石墨所形成的三维网络结构中，所述碳包覆层包覆所述硅纳米颗粒，所述片状石墨用于承建、容纳、分隔所述硅纳米颗粒，所述碳包覆层还包覆所述片状石墨。本发明提供的所述类石榴结构硅碳复合材料具有较高的电导率、较高的材料振实密度和较低的体积膨胀率。本发明还提供了所述类石榴结构硅碳复合材料的制备方法以及所述类石榴结构硅碳复合材料的应用。
基本信息
专利标题 ：
类石榴结构硅碳复合材料、制备方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112786855A
申请号 ：
CN202110055100.4
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2021-01-15
授权号 ：
CN112786855B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
贺艳兵陈振王鹏游从辉王翠翠何远标谢伟森吕伟康飞宇
申请人 ：
清华大学深圳国际研究生院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽街道深圳大学城清华校区A栋2楼
代理机构 ：
深圳市鼎言知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾昭毅
优先权 ：
CN202110055100.4
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/38 H01M4/62 H01M10/0525
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20210115
申请日 : 20210115
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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