基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管
授权
摘要
本发明涉及一种基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管。其包括半导体衬底，在所述半导体衬底上设置P型阱区、N型阱区以及低掺杂本征半导体区，P型阱区通过低掺杂本征半导体区与N型阱区间隔，低掺杂本征半导体区分别与P型阱区、N型阱区邻接；还包括正极区结构、负极区结构以及分裂栅区结构，正极区结构与与P型阱区适配连接，负极区结构与N型阱区适配，分裂栅区结构位于正极区结构与负极区结构之间；本发明能有效地降低PIN二极管的开关损耗，提高PIN二极管的开关速度，还可以实现碳化硅PIN二极管的自修复，进而提高PIN二极管的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
基于碳化硅平面型MOS结构的PIN二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112838129A
申请号 ：
CN202110025621.5
公开（公告）日 ：
2021-05-25
申请日 ：
2021-01-08
授权号 ：
CN112838129B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
夏华忠黄传伟李健诸建周吕文生谈益民
申请人 ：
江苏东海半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
殷红梅
优先权 ：
CN202110025621.5
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/06
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2022-03-11 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 29/868
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏东海半导体科技有限公司
变更后 : 江苏东海半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更后 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更事项 : 申请人
变更前 : 江苏东海半导体科技有限公司
变更后 : 江苏东海半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
变更后 : 214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/868
申请日 : 20210108
申请日 : 20210108
2021-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
