制造分子层的方法和包含其的电子组件
公开
摘要
本发明涉及一种使用原子层沉积(ALD)技术在衬底上制造分子层的方法，其用于电子组件，特别用于ReRAM类型的存储元件。本发明还涉及用于生产所述分子层的化合物和包含所述分子层的存储元件。
基本信息
专利标题 ：
制造分子层的方法和包含其的电子组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616686A
申请号 ：
CN202080076240.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·科尔施S·雷希H·塞姆J·伍德拉夫C·纳纳亚卡拉
申请人 ：
默克专利有限公司
申请人地址 ：
德国达姆施塔特
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
李颖
优先权 ：
CN202080076240.3
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L51/40 H01L51/30 H01L51/05 C09K19/30 C09K19/34 C09K19/40 C23C16/455
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
