电子电路和电路元件
公开
摘要
一种制造包括第一器件和至少一个第二器件的电子电路的方法。第一器件包括第一端子、第二端子、以及在第一和第二端子之间提供半导体路径的第一半导体材料主体，第二器件包括第三端子、第四端子、以及在第三端子和第四端子之间提供电阻或半导体电流路径的第二材料主体。该方法包括：形成第一主体；以及形成第二主体，其中第一主体包括第一量的金属氧化物，第二主体包括第二量的所述金属氧化物。公开了相应的电子电路。
基本信息
专利标题 ：
电子电路和电路元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600234A
申请号 ：
CN202080073505.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
理查德·普赖斯凯瑟琳·拉姆斯戴尔彼得·弗格斯·唐斯费拉·阿珂哈利尔阿布舍克·钱德拉莫汉
申请人 ：
务实印刷有限公司
申请人地址 ：
英国达勒姆
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
谭营营
优先权 ：
CN202080073505.4
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L27/12 H01L29/78 H01L23/64 H01L29/872 H01L21/34 H02M7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
