形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底
公开
摘要
本发明涉及一种用于复合结构的处理衬底(100)，所述处理衬底(100)包括：基础衬底(12)，所述基础衬底(12)由通过Czochralski拉制获得的单晶硅晶片(1)上的硅外延层(2)构成，所述单晶硅晶片(1)具有10到500ohm.cm之间的电阻率，所述硅外延层(2)具有高于2000ohm.cm的电阻率以及2到100微米之间的厚度；钝化层(3)，所述钝化层(3)在所述硅外延层(2)上并且与所述硅外延层(2)接触，所述钝化层(3)是非晶的或多晶的；‑电荷俘获层(4)，所述电荷俘获层(4)在所述钝化层(3)上并且与所述钝化层(3)接触。本发明还涉及一种形成这种衬底的方法。
基本信息
专利标题 ：
形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586172A
申请号 ：
CN202080072350.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金勇必D·德尔普拉L·卡佩罗I·伯特兰F·阿利伯特
申请人 ：
索泰克公司
申请人地址 ：
法国伯尔宁
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
王万影
优先权 ：
CN202080072350.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/02 H01L21/762
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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