硅变压器集成芯片
公开
摘要
一种变压器，包括：硅衬底；多个金属层和多个绝缘层，层压在硅衬底上；金属的底部绕组，与多个金属层中的第一金属层和第二金属层接触；第一绝缘层，位于底部绕组上；磁芯，位于第一绝缘层上；第二绝缘层，位于磁芯上；金属的顶部绕组，围绕磁芯和第二绝缘层的一部分延伸；以及第三绝缘层，位于顶部绕组上。顶部绕组和底部绕组中的至少一个比多个金属层中的每一个厚。
基本信息
专利标题 ：
硅变压器集成芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303210A
申请号 ：
CN202080061321.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-10-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丹下贵之牛见义光
申请人 ：
株式会社村田制作所
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
韩聪
优先权 ：
CN202080061321.6
主分类号 ：
H01F19/04
IPC分类号 ：
H01F19/04 H01F27/28 H01F27/40 H01F41/04 H01L21/768 H01L23/48 H01L23/522 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F19/00
信号类型的固定变压器或固定互感器
H01F19/04
适用于使用频率远超过声频范围的变压器或互感器
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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