本发明涉及半导体基板的评价方法，其评价半导体基板的电气特性，包含以下工序：在半导体基板的表面形成pn结；在晶圆卡盘上搭载半导体基板，晶圆卡盘设置有对半导体基板表面进行光照射的装置及测量照射的光的光量的装置；对半导体基板表面进行预定时间的光照射；以及至少测量关闭光照射后的pn结的光照射后的产生载流子量。由此，提供一种半导体基板的评价方法，该方法在对与CCD、CMOS图像传感器等要求高成品率的产品所使用的晶圆的余像特性对应的特性进行评价时，不进行使用了工艺设备的元件的制作，在晶圆状态下也能够进行与形成实际的固体摄像元件时同样的评价。