新型甲硅烷基环二硅氮烷化合物以及使用其制造含硅薄膜的方法
实质审查的生效
摘要
提供了新型甲硅烷基环二硅氮烷化合物，包含该化合物的用于沉积含硅薄膜的组合物，以及使用其制造含硅薄膜的方法，并且由于本发明的甲硅烷基环二硅氮烷化合物具有高反应性、热稳定性和高挥发性，可以将它用作含硅前体，从而通过各种沉积方法制造高质量的含硅薄膜。
基本信息
专利标题 ：
新型甲硅烷基环二硅氮烷化合物以及使用其制造含硅薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114269761A
申请号 ：
CN202080059088.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张世珍金成基朴廷主卞泰锡权容熙金泳勋林幸墩全相勇李相益
申请人 ：
DNF有限公司
申请人地址 ：
韩国大田广域市
代理机构 ：
成都超凡明远知识产权代理有限公司
代理人 ：
许洪洁
优先权 ：
CN202080059088.8
主分类号 ：
C07F7/10
IPC分类号 ：
C07F7/10 C23C16/30 C23C16/32 C23C16/34 C23C16/36 C23C16/40 C23C16/455 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
C07F7/10
含有氮的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07F 7/10
申请日 : 20200813
申请日 : 20200813
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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