生产含硫化合物半导体的方法和装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种生产含硫化合物半导体的方法，包括：在工艺室(3)中为含硫化合物半导体提供至少一个涂覆有前体(4)的基底(5)；在工艺室(3)中对涂层基底(5)进行热处理，其中，在热处理期间，在工艺室(3)中输入包含至少一种气态硫族化合物的工艺气体；将涂层基底(5)热处理后存在的气体作为废气从工艺室(3)中移除；在气体处理器(13)中冷却废气。其中，在对所述涂层基底(5)进行热处理后的废气中存在的多个气态硫族化合物通过各自转化为液体或固体的形式在时间和空间上彼此从废气中分离。本发明还提供了一种用于执行上述方法的装置。
基本信息
专利标题 ：
生产含硫化合物半导体的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114269449A
申请号 ：
CN202080033139.X
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·帕尔姆E·特拉比茨奇T·尼森
申请人 ：
中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市涂山路1047号
代理机构 ：
合肥维可专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴明华
优先权 ：
CN202080033139.X
主分类号 ：
B01D5/00
IPC分类号 ：
B01D5/00 B01D53/96
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01D5/00
蒸气的冷凝；用冷凝法回收挥发性溶剂
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01D 5/00
申请日 : 20200506
申请日 : 20200506
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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