一种用于激光二极管芯片快速扩晶的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于激光二极管芯片快速扩晶的装置，涉及到激光二极管芯片扩晶领域，包括箱体，所述箱体的表面通过转轴转动连接有箱门，所述箱体的底部固定安装有扩晶块，所述扩晶块的顶部中心处开设有扩晶圆模槽，所述扩晶块的底部开设有第一空腔，所述第一空腔内部设置有顶出机构，所述箱体的顶部固定安装有液压杆，所述液压杆的底部固定安装有扩晶压圆盘，所述扩晶压圆盘的内部开设有第二空腔，所述第二空腔内部设置有加热机构，所述箱体内部设置有快速冷却机构。本实用新型能够对压型完成的晶圆进行快速冷却，加快塑性速度，提高生产效率，还能够对塑性完成的晶圆进行快速顶出，从而方便人员拿取塑性完成的晶圆。
基本信息
专利标题 ：
一种用于激光二极管芯片快速扩晶的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022508293.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN213341069U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
鲁晓东余凯
申请人 ：
武汉智汇芯科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷三路777号5号电子厂房4层南区
代理机构 ：
湖北天领艾匹律师事务所
代理人 ：
杨建军
优先权 ：
CN202022508293.8
主分类号 ：
H01S5/02
IPC分类号 ：
H01S5/02
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
