齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪
授权
摘要
本实用新型公开了齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪，包括测试仪箱体，所述测试仪箱体的底部四角固定安装有固定块，所述测试仪箱体的顶部固定安装有显示箱，所述显示箱的顶部固定安装有报警器，所述显示箱的背部固定安装有电源插槽，所述测试仪箱体的两侧开设有通风口。本实用新型通过在显示箱的一侧固定安装电压调节旋钮、显示屏和电流调节旋钮，能够在测试仪进行检测时，根据所需电流和电压大小进行控制，并且能通过显示屏上的数据判断被测试仪器的检测成果，通过在黑色测试笔和红色测试笔的外表面固定安装绝缘橡胶圈，在测试仪箱体的一侧固定安装警示条，能尽可能避免无关人员的误触，还能为操作人员的测试安全提供保障。
基本信息
专利标题 ：
齐纳二极管与雪崩二极管的反向击穿电压测试仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022505548.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN213581234U
授权日 ：
2021-06-29
发明人 ：
周宝善李博
申请人 ：
奥博华电子电器泰安有限公司
申请人地址 ：
山东省泰安市泰安高新区凤天路
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022505548.5
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-06-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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