一种制备晶体坯的装置
授权
摘要
本实用新型一种制备晶体坯的装置，属于激光晶体制备技术领域。所述一种制备晶体坯的装置包括刮刀(3)，所述刮刀(3)自收集罩(6)内侧的顶点延伸至收集罩(6)底端且紧贴收集罩(6)内表面和/或位于收集罩(6)内表面近处。不断运动的刮刀3将冷凝在收集罩6内表面的晶体原料刮落到熔融的晶体原料表面并熔化于熔融的晶体原料中，形成动态平衡；减少了晶体坯制作过程中晶体原料组成因易挥发物质的变化而变化，晶体坯中镓等易挥发元素含量稳定，可以忽略因挥发导致的组分偏离，能在晶体生长过程中保持镓等含量的稳定，更有利于生长出高质量的含镓晶体等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种制备晶体坯的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022456111.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN213925118U
授权日 ：
2021-08-10
发明人 ：
陈贻斌刘革命秦海明
申请人 ：
赣州虔东激光科技有限公司
申请人地址 ：
江西省赣州市章贡区水东镇虔东大道289号（5#车间）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022456111.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/28 H01S3/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-08-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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