一种用于生产硅氧负极材料基于CVD工艺的加工设备
授权
摘要

本实用新型公开了一种用于生产硅氧负极材料基于CVD工艺的加工设备,涉及CVD工艺加工设备领域,针对现有的加工设备存在的稳定性差,气密性不好,存在安全隐患,产品合格率低,生产连续性无法保证,无法烧成硅氧负极材料电池材料的问题,现提出如下方案,其包括加热结构,所述加热结构包括加热室、燃气燃烧嘴、加热驱动马达、加热旋转框和辅热板,所述加热结构侧壁安装有自动供料机,所述加热结构远离自动供料机的一侧安装有过筛结构,所述过筛结构包括过筛板和导料管,所述过筛结构顶端安装有排气结构。本实用新型结构新颖,且密封性好,加热速度快,安全性高,维护更换速度快,避免空气污染,保护大气环境,原料二次回收利用,成本低。

基本信息
专利标题 :
一种用于生产硅氧负极材料基于CVD工艺的加工设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022450902.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-29
授权号 :
CN213925013U
授权日 :
2021-08-10
发明人 :
岩永贤吾杨伟
申请人 :
佛山高砂工业窑炉有限公司
申请人地址 :
广东省佛山市禅城区南庄镇高新技术产业开发区吉利工业园新源二路东侧
代理机构 :
广州市智远创达专利代理有限公司
代理人 :
卓幼红
优先权 :
CN202022450902.9
主分类号 :
C23C16/56
IPC分类号 :
C23C16/56  C23C16/26  H01M4/38  H01M4/583  F27B9/04  F27B9/06  F27B9/12  F27B9/24  F27D15/02  F27D17/00  F23G7/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/56
后处理
法律状态
2021-08-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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