一种进气及冷却装置及气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型涉及CVD设备技术领域,具体公开了一种进气及冷却装置及气相沉积装置,该进气及冷却装置包括用于对进气进行冷却的水冷件,水冷件包括若干冷却区,冷却区内设有冷却管道,冷却管道呈蛇形排布,冷却管道包括沿设定方向间隔设置的多个冷却通道,及若干连接通道,相邻的两个冷却通道通过连接通道连通;进气及冷却装置还包括若干进水管道和若干出水管道,若干进水管道和若干出水管道均与若干冷却管道一一对应设置,冷却管道的多个冷却通道沿设定方向依次增长,最短的冷却通道和最长的冷却通道分别与出水管道和进水管道连通。以解决冷却管道路径的影响,冷却管道的流阻大,流速不同,进而导致不同部分的表面温度存在差异性的问题。
基本信息
专利标题 :
一种进气及冷却装置及气相沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022403119.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-26
授权号 :
CN213977869U
授权日 :
2021-08-17
发明人 :
陈爱华施广涛吕青
申请人 :
中晟光电设备(上海)股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江高科技园区华佗路168号3幢B区
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
胡彬
优先权 :
CN202022403119.7
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455 C23C16/44 F25D17/02 F25D17/08
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-08-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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