晶圆的测试结构
授权
摘要
本专利申请公开一种晶圆的测试结构，晶圆包括至少一个半导体器件，半导体器件具有套刻的第一结构和第二结构；测试结构包括：接触区；多个第一阱区，与接触区均位于掺杂结构中；第一电极，分别与每个第一阱区电连接；以及测试电极，与接触区电连接，并与第一电极间隔设置，使得第一电极与测试电极之间具有第一电阻，其中，沿第一方向，随着第一结构与第二结构之间相对位置的偏差增大，接触区与第一阱区接触的数量递增或递减，使第一电阻的阻值随之改变；第一方向垂直于晶圆的厚度方向。此测试结构，在完成器件制程后可通过测量阱区构成的电阻值确定两个套刻结构之间的相对偏差距离与方向，解决了光学测试方法难以在制程完成后确定套刻精度的问题。
基本信息
专利标题 ：
晶圆的测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022357201.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
CN214068725U
授权日 ：
2021-08-27
发明人 ：
周源张小麟李静怡梁维佳朱林迪杨棂鑫常东旭王超于江勇
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号1幢4层4D15
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202022357201.0
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 G01R31/28 G01R1/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2021-08-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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