一种重新布线的晶圆级封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种重新布线的晶圆级封装结构，包括衬底、依次位于衬底表面的钝化层、第一重新布线金属层、第一有机绝缘层和第二重新布线金属层，衬底表面具有多个引出电极，引出电极与衬底内对应的待封装的芯片电连接，钝化层覆盖引出电极的部分具有暴露出引出电极的第一开口，第一重新布线金属层通过第一开口与引出电极电连接，第一有机绝缘层具有暴露出第一重新布线金属层的第二开口，第二重新布线金属层通过第二开口与第一重新布线金属层电连接。由于钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面，因此，可以直接在钝化层表面形成第一重新布线金属层，从而可以取消钝化层表面的有机绝缘层，进而可以节省材料，降低封装成本。
基本信息
专利标题 ：
一种重新布线的晶圆级封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022353831.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
CN212874486U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
于龙杰殷昌荣
申请人 ：
上海艾为电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区秀文路908弄2号1201室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李婷婷
优先权 ：
CN202022353831.0
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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