一种态密度耦合半导体激光器
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种态密度耦合半导体激光器，其不同之处在于，其包括衬底，以及在所述衬底上依次生长的缓冲层、下波导层、多周期量子阱层、多周期量子点层、上波导层、包层和接触层。本实用新型可以实现具有低阈值、波长易调控、高温度稳定性的半导体激光器。
基本信息
专利标题 ：
一种态密度耦合半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022259800.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
CN212659828U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
季海铭罗帅徐鹏飞王岩
申请人 ：
江苏华兴激光科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧
代理机构 ：
武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓寅杰
优先权 ：
CN202022259800.9
主分类号 ：
H01S5/34
IPC分类号 ：
H01S5/34 H01S5/343
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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