一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线
授权
摘要
本实用新型公开了一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线，它涉及半导体封装材料，替代了传统键合铜线，包括铜丝、硅纳米聚合物层，所述硅纳米聚合物层在铜丝表面，所述铜丝直径为0.02至0.07mm,所述硅纳米聚合物层厚度为5‑8um。本实用制得的铜线具有良好的导电及导热性能，制得的铜线硬度小，极易键合，降低了铜线的生产成本，保证了铜线的使用性能。
基本信息
专利标题 ：
一种导电及散热性能好硬度低的键合铜线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022214381.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-08
授权号 ：
CN213366586U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
李康李松林
申请人 ：
江苏天康电子合成材料有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市姜堰区顾高镇工业集中区内
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022214381.7
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L21/48 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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