等离子体气相沉积设备
授权
摘要
本实用新型涉及一种等离子体气相沉积设备，包括至少两个依次密封对接的工艺腔室；任一所述工艺腔室的与相邻工艺腔室对接的侧壁设有开口；相邻两个所述工艺腔室中，其一设有可密封其靠近另一的侧壁的开口的阀门。上述等离子体气相沉积设备，将阀门设于工艺腔室内，故无需在相邻两个工艺腔室之间再设置阀门密封室，即两个工艺腔室可直接密封对接，从而减少相邻两个工艺腔室之间的密封结构，从而减少相邻两个工艺腔室之间的密封失效的风险。
基本信息
专利标题 ：
等离子体气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022125134.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN213680874U
授权日 ：
2021-07-13
发明人 ：
张斌李王俊
申请人 ：
苏州迈正科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区吴江经济技术开发区龙桥路、芦荡路交叉口西北侧
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
唐清凯
优先权 ：
CN202022125134.X
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C16/54 C23C16/50
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2021-07-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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