一种代替水银继电器的电路结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种代替水银继电器的电路结构，由碳化硅MOS管Q1，碳化硅MOS管Q2，一端同时与碳化硅MOS管Q1的S极和碳化硅MOS管Q2的S极相连接、另一端同时与碳化硅MOS管Q1的G极和碳化硅MOS管Q2的G极相连接的电阻R6，与碳化硅MOS管Q1的G极相连接的驱动模块，以及与驱动模块相连接的电源模块组成；其中，碳化硅MOS管Q1的D极作为电源输入端，碳化硅MOS管Q2的D极作为电源输出端。本实用新型提供一种代替水银继电器的电路结构，有效的替代了水银继电器，避免了产品含汞导致的被各国制约，同时其开关速度优于现有的水银继电器，进一步提高了产品的使用效果，而无触点的设计则极大的延长了产品的使用寿命，有效的促进了企业与行业的发展。
基本信息
专利标题 ：
一种代替水银继电器的电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022052836.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN213243960U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
杨明涛严地茂
申请人 ：
深圳市赛思特智能设备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道桥头社区福海信息港A7栋409
代理机构 ：
成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成实
优先权 ：
CN202022052836.X
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687 H02M1/088
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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