一种晶体生长炉
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摘要

本实用新型提供了一种晶体生长炉,包括炉体,所述炉体外依次设置有水冷层和隔热防震层,所述隔热防震层内填充有气凝胶颗粒,所述隔热防震层外侧设置有感应加热线圈,所述炉体的两端分别安装有上盖和下盖。通过在炉体水冷层外设置有隔热防震层,隔热防震层内的气凝胶颗粒具有隔热、防弹高弹性、高孔隙率和防振等特性,炉体中使用气凝胶颗粒作为填充层,可以很好的起到隔热的作用,杜绝炉体内外热量的交换,保证炉体内外环境的稳定性,同时气凝胶颗粒的高孔隙率,可以有效避免外界振动对腔体内的影响,保证晶体生长始终处于一个稳定的环境下进行,保证了晶体生长的稳定性。

基本信息
专利标题 :
一种晶体生长炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022050304.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-17
授权号 :
CN213388971U
授权日 :
2021-06-08
发明人 :
李帅宋金鑫丁峰刘先哲郑荣庆高立志刘伟
申请人 :
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 :
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 :
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
冯妙娜
优先权 :
CN202022050304.2
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00  C30B28/12  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-06-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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