硬轴重载硅单晶提拉装置
授权
摘要
本实用新型提供一种硬轴重载硅单晶提拉装置，包括支撑结构、单晶体承重外硬轴且其底部安装有单晶体卡爪、籽晶承重内硬轴且其底部安装有籽晶卡头、用于驱动所述单晶体承重外硬轴转动的旋转驱动装置、用于驱动所述单晶体承重外硬轴升降的外硬轴升降装置和用于驱动所述籽晶承重内硬轴升降的内硬轴升降装置。本实用新型实现了内硬轴和外硬轴的同步旋转运动、外硬轴的单独升降运动和内硬轴的单独升降运动，具有较强的强度和刚度，能够承载500Kg以上重量的单晶体，弥补软轴提拉装置承载能力不足、避免软轴提拉装置中的软轴摆动和单摆共振现象，能够克服热场对称性偏差、气流激励作用力对称性偏差等方面引起的晶体扰动。
基本信息
专利标题 ：
硬轴重载硅单晶提拉装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022025601.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
CN212357451U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
王学卫李占贤李方曹玉宝尹嘉琦
申请人 ：
连城凯克斯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
李洪福
优先权 ：
CN202022025601.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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