一种减少涌流的智能电容结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种减少涌流的智能电容结构，包括电容器，所述电容器连接有磁保持继电器，所述磁保持继电器连接有中央处理器，所述中央处理器还控制有显示、按键两大功能模块，所述中央处理器还连接有电压电流信号采样电路，其特征在于：所述中央处理器与电容器之间还设置有投切延时反馈电路，所述投切延时反馈电路与中央处理器之间传递反馈数字信号。本实用新型设计了一种在继电器的下方增加一个投切延时反馈回路的方式，采用单独控制单相继电器分别控制继电器在零点的时候投切，计算出投切标准，就能最大限度的实现零头切技术，从而大幅减少系统涌流。
基本信息
专利标题 ：
一种减少涌流的智能电容结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021949027.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
CN213213109U
授权日 ：
2021-05-14
发明人 ：
司伟锋安彩屏雷晓春
申请人 ：
杭州中深电力技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市江干区俞章路88号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021949027.2
主分类号 ：
H02J3/18
IPC分类号 ：
H02J3/18 H02H9/02 H02H7/26
法律状态
2021-05-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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