一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型提供了一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管，所述晶体管包括：衬底、AlN缓冲层、背势垒层、多量子阱结构、GaN帽层、源电极、漏电极和栅电极，多量子阱结构为N层铝组分渐变的AlGaN沟道层和设置在每两层铝组分渐变的AlGaN沟道层之间的AlN量子垒层，N≥2。本实用新型利用极化诱导掺杂，实现了异质结界面处高密度二维电子气或二维空穴气、以及铝组分渐变的AlGaN沟道层内的三维电子气或三维空穴气的结合，有利于器件的高频、大电流应用；利用背势垒实现了更有效的载流子限制作用，有效减小器件漏电，实现器件更好的关态击穿特性和开态大偏压下的电流饱和。
基本信息
专利标题 ：
一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021936515.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-07
授权号 ：
CN212676277U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
孙海定张昊宸宋康邢宠
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202021936515.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/15 H01L29/205
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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