一种副边禁止的控制电路
授权
摘要
本实用新型提出一种副边禁止的控制电路，包括变压器、第一副边电路、第二副边电路，本实用新型在第一副边电路设置MOS管Q2、二极管D2，进而通过控制MOS管Q2的关断及开通，实现第一副边电路和第二副边电路断开时输出电压的快速恢复；当变压器输入电压后，VDD端的电压及VE端的电压建立起来；当INH端接输出地GNDo时,MOS管Q2的栅极电压为二极管D2正向压降，由于电压不足以驱动MOS管Q2，故MOS管Q2关断,输出电压Vo为0V；当INH端与输出地GNDo断开时，由于VDD端的电压及VE端的电压一直存在，因此Vo端的输出电压可快速建立。
基本信息
专利标题 ：
一种副边禁止的控制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021829937.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN213027826U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
陈朋飞董亚周高麟飞
申请人 ：
深圳市振华微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新技术工业村W1号厂房3层B1、2层B1区
代理机构 ：
深圳市智胜联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张广兴
优先权 ：
CN202021829937.7
主分类号 ：
H02M3/335
IPC分类号 ：
H02M3/335
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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