高氧半导体单晶硅用石英坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了高氧半导体单晶硅用石英坩埚，包括单晶炉，单晶炉内设有坩埚托盘，坩埚托盘内设有坩埚，坩埚托盘与坩埚之间设有定位装置，定位装置包括定位架、定位柱、弧形限位板、调节装置、限位盘和弹簧，坩埚托盘的两侧均固定设有定位架，两个定位架上均设有定位柱，两个定位柱的上端均设有弧形限位板，弧形限位板为倒L形，两个弧形限位板之间设有坩埚，定位柱与弧形限位板之间通过调节装置连接，定位柱的底端贯穿定位架，定位柱的底端设有限位盘，定位柱上套设有弹簧，弹簧设置在定位架与限位盘之间。本实用新型通过坩埚托盘配合定位装置的设置，方便对不同直径、不同高度坩埚进行固定，方便对单晶硅进行生产。
基本信息
专利标题 ：
高氧半导体单晶硅用石英坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021817914.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN213113596U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
贾建亮贾建恩孙艳
申请人 ：
廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市大厂潮白河工业区二路与福喜二路交叉口
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨玉廷
优先权 ：
CN202021817914.4
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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