一种非晶声磁传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种非晶声磁传感器，其包括外壳、偏磁体和非晶共振片，所述偏磁体包括永磁体，以及分别与所述永磁体的两端无缝吸附连接的两个导磁体，所述永磁体由永磁材料制成，所述导磁体由铁磁材料制成。偏磁体产生的偏置磁场可以抵抗高达12000奥斯特的强磁场的干扰，将其作为偏磁元件应用于非晶声磁传感器中，可使非晶声磁传感器具有抵抗强磁场的功能，即使受到强磁干扰，非晶声磁传感器的工作频率也不会发生变化，仍能保持正常工作，从而有效遏制用强磁开锁器破坏非晶声磁传感器的盗窃行为。
基本信息
专利标题 ：
一种非晶声磁传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021772338.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
CN213148075U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
王希楠王志远刘卓拉柳也王桂云王舒杨俊周
申请人 ：
广州齐达材料科技有限公司;广东齐达科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区科学城南翔三路52号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
王兰兰
优先权 ：
CN202021772338.6
主分类号 ：
G01H11/02
IPC分类号 ：
G01H11/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01H
机械振动或超声波、声波或次声波的测量
G01H11/00
通过检测电或磁特性的变化测量机械振动或超声波、声波或次声波
G01H11/02
用磁的方法，例如磁阻
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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