一种周期性的折射率分层渐变的纳米结构LED
授权
摘要
本实用新型公开了一种周期性的折射率分层渐变的纳米结构LED。该新型的纳米结构LED包括：衬底；形成于该衬底上的非掺杂GaN层；形成于该非掺杂GaN层上的n掺杂GaN层；形成于该n掺杂GaN层上的多量子阱层；形成于该多量子阱层上的p掺杂GaN层；形成于该p掺杂GaN层上的ITO透明电极层；形成于该ITO透明电极层上的纳米结构，该纳米结构包括PS纳米球及镀在该PS纳米球上的ITO层。本实用新型提供的周期性的折射率分层渐变的纳米结构LED，可以提高LED的出光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种周期性的折射率分层渐变的纳米结构LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021748038.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
CN212907774U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
陈湛旭丁润宏万巍陈泳竹
申请人 ：
广东技术师范大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区中山大道293号
代理机构 ：
广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张玲春
优先权 ：
CN202021748038.4
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/32 H01L33/42 H01L33/06
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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