一种应用于单晶炉的炉底板
授权
摘要
本实用新型是关于单晶炉的辅助设备领域，特别涉及一种应用于单晶炉的炉底板。包括圆盘，圆盘为扁圆柱体结构；水罩焊设于圆盘下端面，二者间形成圆盘腔体；圆盘和水罩上对应设有多个通孔，用于焊接波纹管安装法兰、电极安装法兰、真空抽气口法兰、循环口法兰和真空计接管；隔水条设于水罩和圆盘间的腔体内并焊设于圆盘下底面，隔水条围绕电极安装法兰、波纹管安装法兰呈迷宫环形分布，形成曲折通畅的凹槽水路；水罩外部焊设有温度传感器安装板和出水嘴。本实用新型提高了炉底板的密封性能；提高了冷却效率，进而使得炉底板的耐高温及稳定性进一步加强，拉晶效果也进行了提升。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于单晶炉的炉底板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021711487.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN213476150U
授权日 ：
2021-06-18
发明人 ：
张俊曹建伟倪军夫陈航冯乃超陈龙
申请人 ：
浙江晶鸿精密机械制造有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
代理机构 ：
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 ：
周世骏
优先权 ：
CN202021711487.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-06-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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