阵列式双闪探测器
授权
摘要
本申请涉及一种阵列式双闪探测器,包括光导器件、反光层、双闪烁晶体、硅光电半导体及信号转换电路;光导器件为实心光导,整体为透光材质;光导器件除底部以外均贴附有反光层;双闪烁晶体完全覆盖光导器件底部,入射窗覆盖双闪烁晶体;多个硅光电半导体间隔设置组成硅光电半导体阵列,设置在光导器件的外部,硅光电半导体与信号转换电路连接;信号转换电路将硅光电半导体输出的光学信号转换为电学信号,对α和/或β信号进行甄别。使用硅光电半导体阵列,相比光电倍增管体积更小,结构紧凑,工作电压低于100V,且不易受电磁干扰,具有曝光保护,有效的延长了该探测器的使用寿命,光导器件的材质为有机玻璃,抗振动性增强。
基本信息
专利标题 :
阵列式双闪探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021688475.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-13
授权号 :
CN213517578U
授权日 :
2021-06-22
发明人 :
郑永男张小彬
申请人 :
北京海阳博创科技股份有限公司
申请人地址 :
北京市石景山区双园路9号2号楼5层508-511室
代理机构 :
北京市鼎立东审知识产权代理有限公司
代理人 :
陈佳妹
优先权 :
CN202021688475.1
主分类号 :
G01T1/202
IPC分类号 :
G01T1/202 G01T1/203 G01T1/208
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/20
用闪烁探测器
G01T1/202
闪烁体是晶体的
法律状态
2021-06-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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