一种多轨道硅片缓存机构
授权
摘要
本实用新型提供了一种多轨道硅片缓存机构，所述的机构包括硅片储存装置、用于驱动所述的硅片储存装置上下移动的驱动组件，所述的硅片储存装置包括安装框架、多个沿左右方向排列设置在安装框架上的硅片安装架。此机构可人工调整各缓存侧板之间的间距来缓存硅片，目前可以兼容市场上所有规格主流硅片规格。由于采用的是双丝杆直线模组，相比单丝杆直线模组加导轨机构平顺性要好得多，没有卡顿的想象。由于此缓存机构置于传输轨道之上，当设备故障处理完之后，此机构会进行方片处理。
基本信息
专利标题 ：
一种多轨道硅片缓存机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021596632.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
CN212967634U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
吴廷斌张学强张建伟罗银兵朱方松
申请人 ：
罗博特科智能科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区唯亭港浪路3号
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王佳丽
优先权 ：
CN202021596632.6
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L21/677 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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