一种大温差晶体生长炉
授权
摘要
本实用新型的提供了一种大温差晶体生长炉，包括：坩埚托台，放置于坩埚托台上的坩埚，用于加热坩埚底部的加热器，用于冷却坩埚顶部的伸入式水冷壁，以及围绕坩埚布置的保温部件；其中，所述伸入式水冷壁自炉体水冷壁向下延伸并靠近坩埚顶部，所述保温部件用于阻隔所述伸入式水冷壁与加热器之间的热传输，以及对坩埚进行保温，所述坩埚托台为可移动式坩埚托台，用于托举坩埚在竖直方向上下移动并精确控制坩埚的轴向位置；还包括上下温度监控仪，用于监测所述坩埚上下表面中心处的温度。伸入式水冷壁配备定位运动系统，可实现对坩埚内部轴向温差的灵活调控，拓宽了氮化铝单晶的生长条件窗口，实现了PVT法低温高质量氮化铝单晶生长。
基本信息
专利标题 ：
一种大温差晶体生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021471812.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-23
授权号 ：
CN212270277U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
吴亮王琦琨黄嘉丽雷丹李哲朱如忠付丹扬黄毅
申请人 ：
奥趋光电技术（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区余杭经济技术开发区顺风路503号3号楼五层518室
代理机构 ：
杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202021471812.1
主分类号 ：
C30B23/02
IPC分类号 ：
C30B23/02 C30B29/38
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B23/02
外延层生长
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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