一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，包括壳体，所述壳体内腔两侧的顶部和底部均固定连接有支撑柱，所述支撑柱相对的一侧固定连接有IGBT模块本体，所述壳体的底部固定连接有盖板，所述壳体的底部开设有方孔，所述盖板的顶部固定连接有电机，所述电机的顶部贯穿方孔并延伸至壳体的内腔，所述盖板顶部的两侧均活动连接有转杆。本实用新型具备散热效果好及便于拆装的优点，解决了现有的能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，在使用过程中，通常不具有散热结构，导致无法对IGBT器件进行高效散热，从而影响其使用寿命，且由于结构单一，不便于使用者对壳体进行拆装，降低了IGBT器件适用性的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021346972.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-09
授权号 ：
CN212848357U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
邱嘉龙邱秀华李志军
申请人 ：
浙江天毅半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区平江路328号6幢一层
代理机构 ：
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹玉清
优先权 ：
CN202021346972.3
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/32 H01L23/367 H01L23/467 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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