一种晶圆后处理系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆后处理系统，包括：清洗槽，用于容纳清洗晶圆的液体；液体喷淋装置，用于在晶圆向下移动浸入液体的过程中向晶圆表面喷淋液体以对晶圆进行冲洗；马兰戈尼干燥装置，用于在晶圆从液体中提升的过程中向晶圆表面附着的弯液面区域喷射干燥气体以进行马兰戈尼干燥；晶圆支撑装置，用于支撑晶圆并在第一定向和第二定向之间摆动以接收沿第一定向进入清洗槽内的晶圆并使晶圆沿第二定向移出清洗槽；晶圆提升装置，用于从液体中沿第二定向提升浸没于其中的晶圆；晶圆限位装置，用于在晶圆沿第二定向上升的过程中在液面下对晶圆两侧进行限位。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆后处理系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021343441.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-10
授权号 ：
CN211507583U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
李长坤赵德文申兵兵曹自立路新春
申请人 ：
清华大学;华海清科股份有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021343441.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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