基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。
基本信息
专利标题 ：
基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021285150.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-04
授权号 ：
CN212571347U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
王宜颖张胜妃徐远铮于新华曹卫平莫锦军姜彦南伍铁生
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 ：
桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张学平
优先权 ：
CN202021285150.9
主分类号 ：
H01Q1/38
IPC分类号 ：
H01Q1/38 H01Q1/50 H01Q19/185 H01Q15/14
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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