一种高速开关通道ESD的保护结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高速开关通道ESD的保护结构，包括电晶体、第一二极管、第二二极管及ESD管DX电路。电晶体的第一端连接输入端。第一二极管的阳极连接电晶体的体区，第一二极管的阴极连电晶体的第一端和输入端。第二二极管的阳极连接电晶体的体区和第一二极管的阳极，第二二极管的阴极连接电晶体的第二端及输出端。其中，当输入端的管脚或输出端的管脚对地的发生负向ESD模式时，电流路径为由地流经ESD管DX电路的第一电流模式或第二电流模式。
基本信息
专利标题 ：
一种高速开关通道ESD的保护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021183288.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-23
授权号 ：
CN213601871U
授权日 ：
2021-07-02
发明人 ：
吕宇强
申请人 ：
江苏帝奥微电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼6层
代理机构 ：
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周新楣
优先权 ：
CN202021183288.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-07-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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