亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统，包括机体里的台面，台面上方设有电子显微镜、至少一台纳米触点传感器及晶圆移动工作台；电子显微镜上设有电子束镜筒；晶圆工作台上设有用于拖动其前、后和/或左、右和/或上、下移动以及角度变化的数控驱动装置。通过对曝光前后，晶园移动前后，写场的位置坐标比较，计算出拼接的偏差，以负反馈控制方式进行晶圆的高精度光刻拼接，克服了现有非原位、远离写场、盲人式开环光刻拼接技术受晶园工作台机械运动精度、电子束长时间漂移的影响而拼接精度差的缺陷，突破了现有技术严重依赖光刻机系统晶园工作台数控精度的瓶颈，提供了一种新型的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统。
基本信息
专利标题 ：
亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021078739.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-11
授权号 ：
CN212873186U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
周向前伊沃·朗格诺
申请人 ：
百及纳米科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区纳贤路60号5号楼5102室
代理机构 ：
广州市一新专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王德祥
优先权 ：
CN202021078739.1
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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