一种基于双F-P结构的光纤磁场和温度传感探头
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摘要
本发明是一种基于双F‑P结构的光纤磁场和温度传感探头。包括激光光源（1）、光纤环形器（2）、传感探头（3）、信号处理模块（4），所述的传感探头（3）包括包层（3‑1）、第一纤芯（3‑2）、第二纤芯（3‑3）、第一刻槽（3‑4）、第二刻槽（3‑5）、反射膜片（3‑6），第一刻槽（3‑4）填充磁流体，第二刻槽（3‑5）填充甘油，反射膜片与两个刻槽端面构成双法布里‑珀罗谐振腔。利用磁流体的磁场敏感特性和甘油的温度敏感特性，由磁场和温度的变化，磁流体和甘油的折射率将发生改变，从而改变F‑P腔的等效腔长，最终导致两相干光之间相位差的变化，通过检测干涉信号的变化，可实现温度和磁场的双参量测量。
基本信息
专利标题 ：
一种基于双F-P结构的光纤磁场和温度传感探头
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021031887.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-08
授权号 ：
CN212483825U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
涂帆刘月明冯森林
申请人 ：
中国计量大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市学源街258号中国计量大学
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021031887.8
主分类号 ：
G01R33/032
IPC分类号 ：
G01R33/032 G01R33/00 G01K11/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备，例如法拉第的
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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